隐冠打造精密运动台、特种电机、压电产品、驱控产品和精密零部件五大产品线，配备先进的精密运动控制测试平台和一批专用工具，具备良好的生产测试条件。
隐冠围绕精密运动控制，持续深耕量检测、键合及芯片制造设备领域，辐射新能源电池、智能制造、光伏新技术及消费等领域，为客户提供定制化的解决方案。
隐冠半导体成立于2019年，是一家专注半导体制造、量检测和先进封装装备精密运动平台及核心部件研发与生产的高科技创新型企业。
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开启精密运动之旅，“隐”领冠军路，精准控未来。
隐冠让运动更精密，让精密更稳定
2024年上半年，全球半导体呈现回暖态势，随着AI和HPC的快速发展，对芯片性能和功耗的要求不断提高，Chiplet和2.5D/3D推动HBM等先进封装技术成为主要方向，减薄设备是芯片堆叠技术、先进封装技术的关键核心设备，未来应用广泛。
先进封装是对应于先进圆晶制程而衍生出来的概念，一般指将不同系统集成到同一封装内以实现更高效系统效率的封装技术。换言之，只要该封装技术能够实现芯片整体性能（包括传输速度、运算速度等）的提升，就可以视为是先进封装。与之对应的传统封装则是将各个芯片单独封装好，再将这些单独的封装芯片装配到PCB主板上构成完整的系统，通过PCB板形成电信号之间的互连。
在半导体制造业中，薄膜的厚度对器件的性能和质量有重要影响。薄膜的厚度决定了许多重要的物理和化学性质，对其折射、反射和透射的光学性质有直接影响，可以导致显著的量子尺寸效应，从而改变材料的电子、光学和磁性等。准确测量和控制薄膜厚度对于优化器件性能、提高生产效率、确保器件可靠性等都具有重要的作用。
套刻误差的定义是两层图形结构中心之间的平面距离。随着集成电路的层数不断增多，多重图形和多重曝光的光刻工艺被广泛应用，不同步骤形成的电路图形之间的套刻精度愈发重要。套刻误差过大形成的错位，会导致整个电路失效报废。套刻误差测量设备，用于确保不同层级电路图形，和同一层电路图形的正确对齐和放置。套刻误差测量通常在每道光刻步骤后进行。
随着半导体行业的飞速发展，半导体的生产工艺越来越复杂，尤其是5nm工艺的逐步成熟完善，3nm工艺不断突破的情况下，芯片电路单元的尺寸越小，芯片生产过程中就越容易出现各种缺陷。一般来说，根据电子系统检测中的“十倍法则”，在基材层面发现的故障传导到芯片级别会造成成本十倍的增加，所以缺陷检测系统在半导体行业极其重要。
电子束光刻（E-beam lithography）始于上世纪60年代，是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术，是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备。电子束光刻是由高能量电子束和光刻胶相互作用，使胶由长（短）链变成短（长）链，实现曝光。相比于光刻机具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究。
