电子束光刻（E-beam Lithography）运动系统

电子束光刻（E-beam lithography）始于上世纪60年代，是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术，是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备。电子束光刻是由高能量电子束和光刻胶相互作用，使胶由长（短）链变成短（长）链，实现曝光。相比于光刻机具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究。