隐冠打造精密运动台、特种电机、压电产品和关键零部件四大产品线，配备先进的精密运动控制测试平台和一批专用工具，具备良好的生产测试条件。
隐冠半导体成立于2019年，是一家专注半导体制造、量检测和先进封装装备精密运动平台及核心部件研发与生产的高科技创新型企业。
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晶圆划片机是半导体后道封测中晶圆切割和WLP切割环节的关键设备。在一个晶圆上，通常有几百个至数千个芯片连在一起。它们之间留有80μm至150μm的间隙，此间隙被称之为划片街区（Saw Street）。将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来的过程叫做划片或切割（Dicing Saw）。半导体晶圆划片机是将含有很多芯片的晶圆分割成晶片颗粒，为下道粘片工序做好准备，其切割的质量与效率直接影响到芯片的质量和生产成本。
1、混合键合是高集成堆叠最终方案 混合键合是实现高密度堆叠的核心路径。随着高性能运算带动的多颗芯片垂直互联要求提升，传统的微凸点技术面临焊料电迁移、热迁移、桥连短路等可靠性加剧的问题，不再满足堆叠尺寸极小、I/O密度要求极高的堆叠需求，混合键合（或称Cu-Cu直接键合）工艺应运而生。倒装键合工艺pitch尺寸在50~100μm、热压键合工艺可将pitch size缩小到20μm，而要进一步缩小尺寸，则必须求助于混合键合...
2024年上半年，全球半导体呈现回暖态势，随着AI和HPC的快速发展，对芯片性能和功耗的要求不断提高，Chiplet和2.5D/3D推动HBM等先进技术成为主要方向，减薄设备是芯片堆叠技术、先进封装技术的关键核心设备，未来应用广泛。
先进封装是对应于先进圆晶制程而衍生出来的概念，一般指将不同系统集成到同一封装内以实现更高效系统效率的封装技术。换言之，只要该封装技术能够实现芯片整体性能（包括传输速度、运算速度等）的提升，就可以视为是先进封装。与之对应的传统封装则是将各个芯片单独封装好，再将这些单独的封装芯片装配到PCB主板上构成完整的系统，通过PCB板形成电信号之间的互连。
在半导体制造业中，薄膜的厚度对器件的性能和质量有重要影响。薄膜的厚度决定了许多重要的物理和化学性质，对其折射、反射和透射的光学性质有直接影响，可以导致显著的量子尺寸效应，从而改变材料的电子、光学和磁性等。准确测量和控制薄膜厚度对于优化器件性能、提高生产效率、确保器件可靠性等都具有重要的作用。
套刻误差的定义是两层图形结构中心之间的平面距离。随着集成电路的层数不断增多，多重图形和多重曝光的光刻工艺被广泛应用，不同步骤形成的电路图形之间的套刻精度愈发重要。套刻误差过大形成的错位，会导致整个电路失效报废。套刻误差测量设备，用于确保不同层级电路图形，和同一层电路图形的正确对齐和放置。套刻误差测量通常在每道光刻步骤后进行。
